«ВЛИЯНИЕ ТЕРМООТЖИГА НА СОСТОЯНИЕ ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАНННЫХ АТОМОВ Fe В Si»
Keywords:
примеси, профили, влияния, термический отжиг, глубина, концентрационное распределение, доза облучения, температуры активации, ионная имплантацияAbstract
В данной работе приведены результаты исследований изучения профилей распределения имплантированных атомов железа в кремний в зависимости от дозы облучения и температуры отжига методом РОР. Полученные результаты подтверждают аналогичные данные, полученные ВИМС. Изучено влияние термоотжига на распределение железа и других примесей, в частности, кислорода. Приведена возможность использования метода РОР для анализа концентрационного распределения легированных примесей и взаимодействия примесей между собой.
References
[1] Gerasimenko.N.N., Parkhomenko Yu.N. Silicon as material for nanoelectronics//Technosfera, M. 2007.352P.
[2] Biesinger M.C., Paynec B.D., Grosvenor A.P., Laua L.W., Gersonb A.R., Smart R. Resolving surface chemical states in XPS analysis of first row transition metals, oxides and hydroxides: Cr, Mn, Fe, Co and Ni // Appl. Surf. Sci. – 2011. – V. 257, No. 7. – P. 2717–2730. – doi: 10.1016/j.apsusc.2010.10.051.
[3] Pronin I.I., Gomonova M.V., Solovyev S.M., Vilkov O.Yu., Vyalix D.V.//Condensed Matter Physics Journal, 53, 573 (2011).
[4] Gomonova M.V., Pronin I.I. // Journal of Technical Physics 81, 6, 120, (2011).
[5] Lopatin O.M. //Ion implantation of minerals and their synthetic analogs –Saabruken: Publishing House LAP. 2011. – 206 P.
[5].Гельд П.В., Сидоренко Ф.А. Силициды переходных металлов IV периода. – М.: Металлургия, 1971, С.584.
[6].Лифшиц В.Г. Электронная структура и силицид образование в тонких плёнках переходных металлов на кремнии – Препринт, 1984, С.260.
[7].Эгамбердиев Б.Э. «Электронно- спектроскопические исследования физических свойств эпитаксиальных комбинаций и ионно- имплантированных слоев в кремнии ». Докторская диссертация – М, 2003,С 243.
[8]. Эгамбердиев Б.Э., Абдугабборов М. Изучение некоторых особенностей профилей распределения имплантированных атомов Mn, Fe и Ni в Si //Вестник ТГТУ, 1994.,Т.1-2., С.39-44.
[9] Egamberdiev B.E., Iliev Kh.M., Nasriddinov S.S., Toshev A.R., Zoirova M.E. Photoelectric properties of silicon-based solar cells implanted with rare earth elements. //Conference . Russia, Vladivostok,2006. РР. 204-208.
[10] Эгамбердиев Б.Э. , Маллаев А. С. Кремниевые силицидные структуры на основе ионного легирования. Т.: изд. «Наука и технология» 2019г. 168с.
